单片机晶振电路中两个微调电容不对称会怎样？相差多少会使频率怎样变化？我在检测无线鼠标的接受模块时，发现其频率总是慢慢变化（就是一直不松探头的手，发现频率慢慢变小）晶振是新的！电容不对称也不会引起频率的漂移，你说的频率漂移可能是因为晶振的电容的容量很不稳定引起的，你可以换了试，金华25兆晶振贵不贵，换两电容不难，金华25兆晶振贵不贵，要不就是你的晶振的稳定性太差了，或者你测量的方法有问题，金华25兆晶振贵不贵。单片机时钟电路用12MHZ的晶振时那电容的值是怎样得出来的？拿内部时钟电路来说明吧！其实这两个电容没人能够解释清楚到底怎么选值，因为22pF实在是太小了。这个要说只能说和内部的振荡电路自身特性有关系，搭配使用，用来校正波形，没有人去深究它到底为什么就是这么大的值。晶片多为石英半导体材料，外壳用金属封装。金华25兆晶振贵不贵
晶振是石英晶体振荡器的简称，其作用是与集成电路或三极管一起构成频率十分稳定的振荡器。晶振在电路中的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振，便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振，而通过电子调整频率的方法保持同步。晶振通常与锁相环电路配合使用，以提供系统所需的时钟频率。如果不同子系统需要不同频率的时钟信号，可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。晶振具有压电效应，即在晶片两极外加电压后晶体会产生变形，反过来如外力使晶片变形，则两极上金属片又会产生电压。金华25兆晶振贵不贵晶振利用一种能把电能和机械能相互转化的晶体，在共振的状态下工作可以提供稳定、***的单频振荡。
选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。
串联型晶体振荡器的电路的振荡过程：接通电源后，三极管VT1、VT2导通，VT2发射极输出变化的Ie电流中包含各种频率的信号，石英晶体X1对其中的f0信号阻抗很小，f0信号经X1、RP1反馈到VT1的发射极，该信号经VT1放大后从集电极输出，又加到VT2放大后从发射极输出，然后又通过X1反馈到VT1放大，如此反复进行，VT2输出的f0信号幅度越来越大，VT1、VT2组成的放大电路放大倍数越来越小，当放大倍数等于反馈衰减系数时，输出f0信号幅度不再变化，电路输出稳定的f0信号。晶振是石英晶体振荡器的简称，其作用是与集成电路或三极管一起构成频率十分稳定的振荡器。
从实际效果上看，对于给定的负载电容值，F’r与F’L两个频率是相同的，这个频率是晶体的绝大多数应用时所表现的实际频率，也是制造厂商为满足用户对产品符合标称频率要求的测试指标参数，也就是本文较开头介绍的晶振标称频率，晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL（Load capacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。源晶振将所有与无源晶振及相关的振荡电路封装在一个“盒子”里，不必手动***匹配外面电路，不同的输出频率应用时，只需要采购一个相应频率的“盒子”即可，不再使用繁杂的公式计算来计算去，可以节省很多脑细胞做其它更多意义的工作。晶振的全称为“石英晶体振荡器”，一般称“晶体振荡器”或“晶体谐振器”。金华25兆晶振贵不贵
石英晶体振荡器有压控制晶体振荡器、恒温控制式晶体振荡器和数字化/μp补偿式晶体振荡器等几种类型。金华25兆晶振贵不贵
晶振是石英晶体谐振器（quartzcrystal oscillator）的简称，也称有源晶振，它能够产生处理器（CPU）执行指令所必须的时钟频率信号，CPU一切指令的执行都是建立在这个基础上的，时钟信号频率越高，通常CPU的运行速度也就越快。只要是包含CPU的电子产品，都至少包含一个时钟源，就算外面看不到实际的振荡电路，也是在芯片内部被集成，它被称为电路系统的心脏。有源晶振，在外部施加适当的电压后，就可以输出预先设置好的周期性时钟信号。晶体本身是不能产生振荡信号的，必须借助于相应的外部振荡器电路才能实现。金华25兆晶振贵不贵
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